В России создали первое в стране устройство для создания ионных имплантеров
25.12.202411:08
Читать в 
Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН (Новосибирск) создали первое в стране устройство для создания так необходимых российской микроэлектронике ионных имплантеров, сообщил журналистам замдиректора по науке ИЯФ СО РАН Евгений Левичев.
Последние 30 лет микроэлектронная промышленность всего мира развивается благодаря имплантерным технологиям – они позволяют внедрять в поверхность кремниевой пластины легирующие добавки различных примесей (бора, фтора, мышьяка), создавая тем самым микросхему с заданными характеристиками. Установки для такой реализации этой технологии называются "ионные имплантеры", а одним из основных их элементов являются ионные источники, образующие потоки ионов требуемой энергии.
"Во всех современных устройствах есть микросхемы. Само существование полупроводников возможно только потому, что придуманы такие небольшие ускорители, которые называются ионные имплантеры… Они очень важны для любой страны. Это некий стратегический объект", - рассказал Левичев.
Он пояснил, что после введения международных санкций в отношении России ионные имплантеры, которые раньше закупались за рубежом, стали недоступны. В рамках решения проблемы ИЯФ СО РАН заключил контракт с ОА "НИИТМ" (Зеленоград) на разработку таких установок с параметрами, существенно превосходящими мировые аналоги.
"Сейчас мы делаем две машины… Наша страна может выйти вперед по части изготовления микросхем. Работы идут. По одному контракту оборудование уже производится на нашем опытном производстве, и даже источник ионов – очень важная, критическая часть, уже сделан прототип", - сказал ученый, уточнив, что целиком первый ионный имплантер планируется изготовить до конца 2025 года.
ИЯФ СО РАН имеет большой опыт в создании различных ионных источников, которые в свое время разрабатывались и создавались для полупроводниковой промышленности, а также для экспериментов в области физики плазмы, и для развития методов ускорительной масс-спектрометрии. Имплантерные ионные источники ИЯФ будут использоваться для развития современных отечественных ионных имплантеров.